Número de Producto del Fabricante:
IPU78CN10N G
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPU78CN10N G-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 13A TO251-3
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 13A (Tc) 31W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Inventario:
12805958
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IPU78CN10N G Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
13A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
78mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 12µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
716 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
31W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO251-3
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número de producto base
IPU78C
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,500
Otros nombres
SP000209098
IPU78CN10NG
IPU78CN10N G-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IRFU3910PBF
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
3219
NÚMERO DE PIEZA
IRFU3910PBF-DG
PRECIO UNITARIO
0.36
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
Productos relacionados
IRFR2405TRR
MOSFET N-CH 55V 56A DPAK
IPD25N06S4L30ATMA1
MOSFET N-CH 60V 25A TO252-31
IPP47N10S33AKSA1
MOSFET N-CH 100V 47A TO220-3
